10月27日长富资本，光刻胶概念股集体走强，截至收盘，万润股份涨停，晶瑞电材大涨16%，锦华新材、迦南科技、佳先股份、彤程新材等跟涨。
消息面上，日前，我国首个EUV光刻胶标准立项。国家标准委网站显示，我国首个EUV光刻胶标准——《极紫外(EUV)光刻胶测试方法》作为拟立项标准，10月23日开始公示，截止时间为11月22日。标准的起草单位包括上海大学、张江国家实验室、上海华力集成电路制造有限公司、上海微电子装备(集团)股份有限公司。
一直以来，国内在EUV光刻胶测试领域尚未建立统一的技术规范，现有测试方法多沿用国外企业标准，导致在灵敏度(E0)、线边缘粗糙度(LER)等核心性能指标的检测流程上缺乏标准化，这不仅使得国产材料的验证周期长达1-2年，更严重制约了我国光刻胶产业的自主创新发展。
业内人士表示，该标准的制定为我国EUV光刻胶关键核心技术的突破提供标准化支撑，推动国内高端光刻胶产业实现高质量可持续发展，提升我国在全球半导体材料领域的话语权和竞争力。
光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂，是指通过 紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。按曝光波长分类，光刻胶能够分成紫外(UV)、深紫外(DUV)、极紫外(EUV)光刻胶，其中，EUV光刻胶是极紫外光刻的关键材料，主要应用于7nm及以下制程的集成电路制造，是实现先进逻辑芯片、高端存储芯片等微小化、高性能芯片生产的不可或缺的材料。
当前，EUV光刻胶完全被国外先进半导体材料公司所垄断，日本更是占据全球80%的市场份额，处于绝对领先地位。
但随着国产替代的不断推进和政策的强力支持，近期，国内高端光刻胶领域不断迎来重磅突破。
10月25日长富资本，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。相关论文近日刊发于《自然·通讯》。
彭海琳表示，冷冻电子断层扫描技术为在原子/分子尺度上解析各类液相界面反应提供了强大工具。深入掌握液体中聚合物的结构与微观行为，可推动先进制程中光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷控制与良率提升。
另外，7月，清华大学化学系许华平教授团队在极紫外(EUV)光刻材料上取得重要进展，开发出一种基于聚碲氧烷(Polytelluoxane, PTeO)的新型光刻胶，实现了两大突破：
其一、碲元素的高效吸收。碲(Te)具备除惰性气体外最高的EUV吸收截面，吸收能力远超传统光刻胶中的碳、氧及锌、锆等金属元素，显著提升光子利用效率；同时，通过Te─O键直接嵌入高分子主链，形成单组分均质结构，避免多组分扩散缺陷。
其二、主链断裂显影机制。Te─O键的低解离能特性使材料吸收EUV能量后直接发生主链断裂，转化为小分子寡聚体，诱导溶解度变化，实现正性显影。该机制无需化学放大或后烘处理，简化工艺流程并降低随机噪声。
此外，上市公司方面，已有多家公司开始研究EUV光刻胶。瑞联新材、久日新材等在投资者互动平台上发布过EUV光刻胶相关的内容，包括研发、开发情况，上海新阳在2024年度业绩说明会上表示，EUV光刻胶是公司光刻胶布局的重要研发方向之一，现在还在研发的初期阶段。
光大证券指出，半导体材料板块正处于需求扩张与国产替代的共振阶段。光刻胶等核心材料既受益于晶圆投片量增加，又面临国产化率提升的政策支持。预计2025年中国大陆光刻胶市场规模同比增长6.8%至179亿元。
这里证券之星为大家整理了部分光刻胶板块概念股，需要注意的是，相关概念股仅供投资者参考，不构成任何投资建议。
1、瑞联新材：公司先前在在投资者互动平台表示，公司的半导体光刻胶单体涉及ArF光刻胶单体KrF光刻胶单体和EUV光刻胶单体，其中已经量产的产品属于ArF光刻胶单体系列
2、久日新材：公司在投资者互动平台表示，正在进行KrF、ArF、EUV光刻胶所需原材料光致产酸剂产品的开发
3、上海新阳：公司在2024年度业绩说明会上表示，EUV光刻胶是公司光刻胶布局的重要研发方向之一，现在还在研发的初期阶段
4、南大光电：公司是国内唯一实现ArF胶规模量产企业，客户覆盖中芯国际、长江存储等头部晶圆厂
5、晶瑞电材：公司国内最早规模量产光刻胶的少数几家企业之一，G线/I线光刻胶市占率国内第一
6、容大感光：公司的光刻胶产品主要包括繁外线正胶、紫外线负胶两大类产品以及释剂、显影液、剥离液等配套化学品，PCB光刻胶市占率25%，12英寸晶圆用胶技术领先
长富资本
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